发布网友 发布时间:2024-10-18 20:34
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热心网友 时间:2024-11-19 11:03
20N60场效应管是一款针对高电压和大电流应用设计的器件,其主要参数如下:
首先,该管子支持的电流规格为20安培(A),能够在600伏特(V)的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中,它的集电极-发射极击穿电压为600V,保证了器件的耐压能力。
在脉冲电流方面,集电极脉冲电流可以达到300A,这对于需要处理短暂大电流的场景非常适用。此外,功率耗散方面,当漏极电流在25℃下为20A,而在100℃时会下降到12.5A,最大功率损耗为74瓦特(W)。
场效应管的栅源电压范围为±30V,这提供了足够的电压灵活性。静态情况下,当漏极电流为10A,栅源电压为10V时,导通电阻的典型值为0.31欧姆(Q),最大值为0.38欧姆。温度适应性强,工作范围在-55到+150摄氏度(°C)之间。
最后,20N60场效应管采用TO-220封装,这种标准封装尺寸有助于在各种电路板设计中方便安装和集成。总体而言,这款场效应管是高压、大电流应用的理想选择,提供了良好的性能和可靠性。
热心网友 时间:2024-11-19 11:04
20N60是一种高压N沟道MOS管。
20N60 MOS管具备以下特点和参数:
最大漏源电流:20A,这意味着该管子能够处理的最大电流为20安培。
漏源击穿电压:600V,表明该管子能够承受的最大电压差为600伏特。
输入电阻:10KΩ,这是指该管子的输入端的电阻值为10千欧姆。
放大倍数:1.15×10^-6/°C,这意味着温度系数为正,即温度每升高或降低1度,放大倍数会有相应的变化。
这些参数使得20N60 MOS管适用于需要高电压和大电流处理的电路中,如电源管理、电机控制等应用。由于其稳定性和抗冲击能力,20N60 MOS管在工业和商业应用中得到了广泛的使用和认可。