模拟综合试卷一
一.填充题
1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地条件是a ,b 。
2.通用运算放大器输入级通常均采取察动放大器,其目标是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路输入电阻比共射放大电路输入电阻 。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是 失真。
5.工作于甲类放大器是指导通角等于 ,乙类放大电路导通角等于 ,工作于甲乙类时,
导通角为 。
6.甲类功率输出级电路缺点是 ,乙类功率输出级缺点是 故通常功率输出级应工作于 状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV,ui2=500µV,则差模输入电压uid为 µV,共模输入信号uic为 µV。8.由集成运放组成反相百分比放大电路输入电阻较 同相百分比放大电路输入电阻较 。9.晶体三极管放大器电压放大倍数在频率升高时下降,关键是因为 影响。
10.在共射、共集、 共基三种组态放大电路中, 组态电流增益最; 组态电压增益最小; 组态功率增益最高; 组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽是 组态。
二.选择题
1.晶体管参数受温度影响较大, 当温度升高时, 晶体管β, ICBO,uBE 改变情况为()。 | |
A.β 增加, ICBO,和 uBE 减小 | B. β 和ICBO 增加, uBE 减小 |
C.β 和uBE 减小, ICBO 增加 | D. β、 ICBO 和uBE 全部增加 |
2.反应场效应管放大能力一个关键参数是()
A. 输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导3.双端输出茶分放大电路关键()来抑制零点飘移。
A.经过增加一级放大 B.利用两个
C.利用参数对称对管子 D.利用电路对称性
4.经典差分放大电路由双端输出变为单端输出, 共模电压放大倍数()。 |
A.变大 B.变小 C.不变 D.无法判定
5.差分放大电路共模抑制比KCMR越大,表明电路()
A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大
C.直流放大倍数越大 D.抑制零漂能力越强
6.负反馈放大电路以降低电路()来提升嗲路其它性能指标。
A.带宽 B.稳定性 C.增益 D.输入电阻
7.为了使运放工作于线性状态,应()
A.提升输入电阻 B.提升电源电压 C.降低输入电压 D.引入深度负反馈8.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡幅度条件是()。
A.ÀF=1 B.ÀF>1 C.ÀF<1 D.ÀF=1
9.振荡电路振荡频率,通常是由()决定
A.放大倍数 B.反馈系数 C.稳定电路参数 D.选频网络参数
10.在串联型线性稳定电路中,比较放大步骤放大电压是()
A.取样电压和基准电压之差 B.基准电压 C.输入电压 D.取样电压
三.分析计算题
1,图所表示放大电路中,已知Rb1=16kΩ,Rb2=11kΩ,Rc1=0.5kΩ,Rc2=2.2kΩ,RE1=0.2kΩ,RE2=2.2kΩ,RL=2.2kΩ,β=80,uBE=0.7V,VCC=24V。试求:
(1)静态工作点
(2) i画出微变等效电路 |
(3)电压发达倍数
(4)输入电阻Ri、输出电阻Ro
2.图所表示为N沟道结型结构场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA,VDD=16v, RG1=160kΩ,,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。 试求:
(1)静态工作点Q
(2)画出微变等效电路 |
(3)电压放大倍数Au
(4)输入电阻Ri、输出电阻Ro
3.以下图所表示反馈电路,试求:
(1)用瞬时极性法在电路图上标出极性,并指出反馈类型;
(2)说明反馈对输入电阻和输出电阻影响;
(3)在深度负反馈条件下闭环电压放大倍数。
4.图所表示运算放大电路中,已知R1=R2=10k,R5=15k,R3=R4=R6=30k, RF3=30k, RFi =RF2=10k, E1=3V,E2=4V,E3=3V。试求:
(1)指出A1、A2、A3运算放大功效;
(2)计算输出电压uo1、uo2和uo。
5.图所表示单相桥式电容滤波整流电路,交流电源频率f=50Hz,负载电阻RL=120Ω,要求:直
流电压uo=30v,试选择整流元件及滤波电容C。
模拟电路试卷二
一.填空题
1.PN结未加外部电压时,扩散电流 漂流电流,加正向电压时,扩散电流 漂流电流,其耗尽层 ;
加反向电压时,扩散电流 漂流电流,其耗尽层 。
2.三极管工作在饱和区时,发射结为 ,集电结为 ,工作在放大区时,发射结为 ,集电结为 ,
此时,流过发射结电流关键是 ,流过集电结电流关键是 。
3.场效应管属于 控制器件。 场效应管从结构上分成 和 两大类型。
4.绝缘栅型场效应管又分为 和 ,二者区分是 。
5.若期望减小放大电路从信号源索取电流,应采取 反馈;若期望取得较强反馈作用而信号源内阻又
很大,应采取 反馈;当负载改变时,若期望输出电流稳定。应采取 反馈。
6.某负反馈放大电路闭换放大倍数Af=100,当开环放大倍数A改变+10%时,Af相对改变量在+0.5%以内,
则这个放大电路开环放大倍数A ,反馈系数 为。
二.选择题
1.温度升高后,在纯净半导体中()
A.自由电子和空穴数目全部增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变
C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目全部不变
2.假如PN结反向电压数值增大(小于击穿电压),则()
A.阻当层不变,反向电流基础不变 B.阻当层变厚,反向电流基础不变
C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小
3.某放大电路在负载开路时输出电压为4V,接入3kΩ负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路输出电
阻为()
A.10kΩ B. 2kΩ C. 1kΩ D. 0.5kΩ
4.在放大电压信号时,通常期望放大电路输入电阻和输出电阻分别为()
A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小
C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大
5.场效应管关键优点()
A.输出电阻小 B.输入电阻大 C.是电流控制 D.组成放大电路时电压放大倍数大
6.在负反馈放大电路中,当要求放大电路输入阻抗大,输出阻抗小时,应选择反馈类型()。
A.串联电压负反馈 B.串联电流负反馈 C.并联电压负反馈 D.并联电流负反馈
7.理想运放两个关键结论是()
A.虚地和反相 B.虚短和虚地.c 虚短和虚断 D.断路和短路
8.用一个截止频率为1低通滤波器和.用一个截止频率为2高通滤波器,组成一个带通滤波器,应该使()。
A.二者串联,而且1>2 B.二者并联,而且1>2 C.二者并联,1<2 D.二者串联,1<2
三.分析计算题
1.放大电路以下图所表示,已知Rb1=Rb2=150k,
RL=RC=10k,RE=0.15k,β=70,uBE=0.7V。试求:
(1)电路静态工作点
(2)画出微变等效电路
(3)电压放大倍数Au
(4)输入电阻Ri、输出电阻Ro
2.以下图所表示OCL电路。已知ui为正弦波RL=16Ω,要求最大输出功率为10w,在三极管饱和管能够忽
略不计条件下,试求出下列各值。
(1)正负电源VCC最小值;
(2)依据VCC最小值,求三极管壹ICM,V(BR)CEO及PCM最小值;
(3)当输出功率最大(10W)时,电源供给功率;
(4)当输出功率最大时,输入电压有效值
3.图所表示差分放大电路中,为了使输入电压为零时,输出电压也为零,加入了调零电位器RP.。已知
β1=β2=50,uBE1=uBE2=0.7V,Rc=10kΩ,RS=1kΩ,RP=200Ω,Re=10kΩ,RL=0.15k,VCC=15v,VCC=-15v。
试求:差模输入电阻Rid、输出电阻RO及差模电压增益iVd
4.图所表示运放电路,已知R1=6k,R2=4k,R3=R4=R5=6k,R6=R7=12k,R8=6k,RF1=24k,RF2=4k,
RF3=6k,R=2k,ui1=5mv,ui2=-5mv,ui3=6mv,ui4=-12mv。
试求:(1)运放电路A1、A2、A3功效。 (2)uo1、uo2、uo
5.某一放大电力路放大倍数A=103,当引入负反馈放大倍数稳定性提升到原来100。试求:
(1)反馈系数。 (2)闭环放大倍数。 (3)A改变+10%时闭环放大倍数及其相对改变量
模拟电路综合试题三
一.填空题
1.双极型晶体管工作在放大区偏置条件是 增强型N沟道场效应管工作在放大区偏置条件是 。
2.射极跟随器含有 , , , 等三个特点。
3.差分放大电路基础功效是 。
4.在信号源内阻,负载电阻大场所,欲改善放大电路性能,应采取 反馈。
5.在阻容耦合放大电路中,若要降低下限频率,应将耦合电容值 。
6.要消除基础共发射极放大电路产生饱和失真,应将静态工作电流 。
7.乙类推挽放大电路关键失真是 ,要消除此失真,应改用 。
8.理想运算放大器工作在线性放大区时含有 和 特征。
二.选择题
1.在一个由NPN型晶体管组成放大电路中,相关晶体管三个电极电位,下列说法正确是()
A.集电极电位一定最高B.集电极电位一定最低C.发射极电位一定最高D.基极电位一定最低
2.直接耦合多级放大电路()。
A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号
C.既能放大直流信号也能放大交流信号 D.既不能放大直流信号也不能放大交流信号
3.N沟道结型场效应管中载流子是()
A.自由电子 B.空穴 C.电子和空穴 D.带电离子
4.对于结型场效应管,栅源极之间PN结()。
A.必需正偏 B.必需零偏 C.必需反偏 D.能够任意偏置
5.通用型集成运放输入极通常采取()电路
A.差分放大 B.互补推挽 C.基础共射极放大 D.电流源
6.差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压放大倍数()。
A.增加一倍 B.减小二分之一 C.不变 D.按指数规律改变
7.之流负反馈在电路中关键作用是()
A.提升输入电阻 B.降低输出电阻 C.增大电路增益 D.稳定静态工作点
8.为了稳定放大电路输出电压,那么对于高内阻信号源来说,放大电路应引入()负反馈。
A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联
三.分析和计算题
1.图所表示,放大电路中,已知VCC=15V,Rs=0.5KΩRb1=40KΩRb2=20KΩ
Rc=2KΩRE1=0.2KΩRE2=1.8KΩRL=2KΩβ=50UBE=0.7V。试求:
(1)电路静态工作点
(2)画出微变等效电路
(3)输入电阻Ri和输出电压Ro
(4)电压放大倍数Au和源电压放大倍数Aus
2.由N沟道耗尽型场效应管组成电路以下图所表示。设UGSQ=-0.2V,Gm=1.2ms。试求:
(1)电路中静态工作点IDQ和UGSQ之值
(2)画出微变等效电路图
(3)电压放大倍数Áu
(4)输入电阻Ri和输出电阻RO
3.图所表示,电路中已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,RC1=RC2=3.8KΩ,RB1=RB2=1KΩ,
RE=5.1KΩ,VCC=1.5V,VEE=-12V,β1=β2=50
试计算:
(1)静态多种点值;
(2)差模电压放大倍数、共模电压放大倍数及共模抑制比;
(3)差模输入电阻、 共模输入电阻及输出电阻。 |
4.电路以下图所表示,试求:
(1)在电路图上标出反馈极性并指反馈类型
(2)在深度条件下,写出电路能满足(R1+R2)»R条件下,输出电流iO和输入
电压Ui关系式
5.图所表示电路中,已知R1=RW=10KΩ,R2=20KΩ,U1=1V,设A为理想运算放大器,起输出电压最大值为12V,
试分别求出当电位器RW滑动端移到最上端、中间位置和最下端时输出电压UO值。
模拟综合试卷四
一.填空题
1.晶体管从结构上可分成 和 两种类型,依据半导体材料不一样可分为 和 管。 它们工作
时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。
2.在晶体管组成三种基础放大电路中,输出电阻最小是 电路,输入电阻最小是 电路,输出电压和
输入电压相位相反是 电路。 无电流放大能力是 放大电路,无电压放大能力是 放大电路。 但
三种放大电路全部有 放大能力。
3.场效应管突出优点是 。
4.当场效应管工作于线性区时,其漏极电流iD只受 电压控制,而和电压 几乎无关。ID数学表示
式为:耗尽型 增强型 。
5.理想集成运放放大倍数AU= ,输入电阻Ri= ,输出电阻Ro= ,共模抑制比KCMR= | 。 | |
6.差分放大电路放大两输入端 | 信号, 而抑制 信号, 两差放管输出电流含有 关系。 | |
|
7.电压负反馈能够稳定输出 ,降低 电阻;电流负反馈能够稳定 输出,提升 电阻。
二.选择题
1.晶体管能够放大内部条件是()
A.大于 B.小于 C.等于 D.不变 E.变宽 F.变窄
2.只用万用表判别晶体管三个电极,最先判别出应是()
A.基极 B.发射极 C.集电极
3.为了使高内阻信号源和低阻负载能很好地配合,能够在信号源和负载之间接入()
A.共射极放大电路 B.共基极放大电路 C.共集电极放大电路 D.共射极-共基极串联电路
4.某多级放大电路由两个参数相同单级放大电路组成,在组成它单级放大电路截止频率处,幅值下降了()
A. 3dB B. 6dB | C. 20dB | D. 40dB |
5.场效应管是一个()控制型电子器件
A.电流 B.电压 C.光 D.磁
6.在集成运放电路中,各级放大电路之间采取了()耦合方法
A.直接 B.变压器 C.阻容 D.光电
7.一个单管共射极放大电路假如经过电阻网络引入负反馈,那么它()振荡。
A.一定会产生高频自激 B.可能产生高频自激C.通常不会产生高频自激 D.一定不会产生高频自激
三.分析计算题
1.基础放大电路以下图所表示,C1、C2、CE均可视为交流短路,
已知:晶体管β=100,UBE=0.6V,RE=2.4KΩ,I1==I2=10IBQ
Vcc=12V,试求:
(1)欲使静态工作点ICQ=1mA,VCEQ=6V,请确定RB1、RB2及RC值。
(2)设RL=3.6K,计算其电压增益。
2.下图所表示电路为乙类推挽功率输出级简化电路,输入信号Ui为正弦波,要求负载上得到最大输出功
率为10W,器件饱和压降为1V,请在下述标准电源电压等级之中选一最合理
3.以下面所表示差动放大电路中,晶体三极管参数均为100,
UBE=0.7V, RC1=RC2=2K,Rb1=Rb2=1.5K, Rb3=1K
RE=1.4K,UZ=6.3V,试求:
(1)晶体三极管VT1和VT2工作点电流ICQ1和ICQ2
(2)差模电压放大倍数Au
(3)放大器差模输入电阻Ri
4.以下图所表示电路为一深度负反馈放大电路,试求:
(1)判定图中有多个反馈,各个反馈类型是什么?
(2)估算放大电路电阻放大倍数Au
5.以下图所表示运算放大器,试求:
(1)指出各运放电路A1A2A3功效
(2)求出输出电压uo1和uo
模拟电路综合试题五
一、填空题(共20分、每一填空0.5分)
1.稳压管含有稳定 | 作用, 工作于状态。 |
| |
2.三极管按结构分为和两种类型,均含有两个PN结即 和 。
3.场效应管按结构分为 | 和 , 按沟道分为 | 和 。 |
| | |
4.差动放大器三类输入信号是 、 和 差动放大电路含有抑制信号和放大 信号能力。
5.共模抑制比定义是其单位是 | 。 |
| |
6.在放大器中为了提升输入电阻,放大电路应引入负反馈。要稳定输出电流,降低输入电阻应引入
反馈, 要稳定输出电压, 提升输入电阻, 应引入 | 反馈。 | |
| | 。 |
7.当满足条件 时, 称为深负反馈, 此时闭环放大倍数为 | ||
|
8.负反馈类型可分为 | 、 | 、 | 和 | 四种。 |
| | | | |
9.集成运算放大电路中,为了 ,输入级通常采取 放大电路;为了 ,中间级多采取
放大电路; 为了 | , 输出级多采取 | 放大电路。 | | | |
10.集成运放理想化条件是 | 、 | 、 和 。 理想集成运放两个特征是 | 和 | 。 | |
| | | |
11.在理想情况下,乙类工作状态最高效率为 。
二、分析计算题
1.下图所表示共集电极放大电路中,已知电源电压VCC=12V,Rb=250KW,Rc=2KW,Re=1KW,RL=4KW,晶体管为
硅管,b=50。
试求:(1) 估算静态工作点值;
(2)若使三极管静态值Ib=30μA,VCE=6V,问可变电阻Rb,Rc应取多
大?并计算放大电路电压放大倍数、输入电阻Ri及输出电阻Ro。
2.图所表示分压式偏置放大电路中,已知电源电压VCC=15V,RC=3KW,RE1=0.5KW,RE2=1.5KW,RL=3KW,
Rb1=22KW,Rb2=10KW,VBE=0.7V,b=60。
试求:(1) 估算静态工作点值;
(2)画出微变等效电路;
(3)计算电压放大倍数;
(4)计算输入电阻Ri及输出电阻Ro。
3.以下图所表示电路中,已知电源电压VCC=20V,Rd=10KW,RS=10KW,RL=10KW,RG1=200KW,RG2=51KW,
RG=1MW,g m=1.2mA/V,IDSS=0.9mA,VP=-4V,电容C1,C2,C3均足够大。
试求:(1) 写出计算静态工作点值方程式;
(2)画出微变等效电路;
(3)计算电压放大倍数;
(4)计算输入电阻Ri及输出电阻Ro。
4.图所表示电路,已知:Rb=200K,Rc1=5.1KW, Rc2=2.2KW, Re1=1KW, Re2=2KW, Rf=19KW, 试求:
(a)在电路图上标出瞬时极性,并指出何种类型交流反馈?
(b)负反馈对放大电路性能起什么作用;
(c)电路反馈系数多大?
(d)在深度负反馈条件下,该电路电压放大倍数是多少?
5.图所表示差分放大电路,已知:b1=b2=50,RC1=RC2=5K,I=2A, VCC=-VEE=10V, 试求:
(A)T1、,T2管静态值;
(B)当vi=0,v0=?
(C)当vi=10mV时,v0=?
6.下图所表示电路中,已知:输入电Vi1=20mV, Vi2=40mV,R1=2KW,R2=1KW,R3=2KW,Rf1=1KW,Rf2=60KW,
RP1=0.7KW,RP2=0.7KW,求:输出电压V0。
7.下图所表示电路中运放为理想元件。已知R1=10K,R2=20KW, R3=50KW,R4=R5=50KW,RF1=RF2=100KW,
RP1=RP2=100KW,Vi1=1V,Vi2=-3V,Vi3=2V,V02=1V。
试求:(1) 指出A1,A2功效;
(2)计算υ01,υ0值。
模拟电路试卷六
一、填空题
1.半导体中有 和 两种载流子,在本征半导体中掺着 阶元素,可形成P型半导体。
2.三极管有放大作用外部条件,是发射结 ,集电极 。
3.三极管是 控制器件,三极电流关系为 和 ,
4.放大电路动态分析基础方法有 和 静态分析基础方法有 | 和 。 |
| |
5. 偏置放大电路能够自动稳定静态工作点,其代价是降低放大电路 。
6.电容在直流通路中可视为 ,在交流通路中可视为 。
7.负反馈类型可分为 、 、 、 和 。
8.在放大器中为了提升输入电阻, 放大电路应引入 | 负反馈。 要稳定输出电流, 降低输入电阻应引 |
| |
入 负反馈,要稳定输出电压,提升输入电阻,应引入 负反馈。
9.集成运放理想化条件是 、 、 和 。 理想集成运放两个特征是
和 。
二.分析计算题
1.图所表示分压式偏置共发射放极大电路中,已知电源电压VCC=12V,RC=2KW, RE=1KW, RL=8KW,
Rb1=30KW,Rb2=10KW,晶体管为硅管,b=40。
试求:(1) 估算静态工作点值;
(2)画出微变等效电路;
(3)计算电压放大倍数;
(4)计算输入电阻Ri及输出电阻Ro。