专利名称：带有可控硅整流器的保护器件专利类型：发明专利发明人：宋榕夏,李仑姃申请号：CN01123210.2申请日：20010717公开号：CN1338780A公开日：20020306
摘要：一种用于降低触发电压的半导体器件,包含:具有第一导电性的半导体衬底;在衬底中形成的具有第二导电性的半导体区;在衬底中形成的具有第一导电性的第一区;在衬底中形成的具有第二导电性的与半导体区和第一区隔开的第二区;在衬底中形成的具有第二导电性的第三区;在半导体区中形成的具有第二导电性的通过导电材料连接到第三区的第四区;在半导体区中形成的具有第一导电性的第五区;在半导体区中形成的具有第二导电性的第六区。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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