专利名称：半导体封装件及封装半导体的方法专利类型：发明专利发明人：柳镇馨,赵三济申请号：CN03154606.4申请日：20030607公开号：CN1487582A公开日：20040407
摘要：本发明公开一种半导体封装件及用于封装半导体的方法，该封装件具有高可靠性。根据本发明的半导体封装件包括第一衬底，在该第一衬底上形成有电路图形和电极焊盘；第二衬底，该第二衬底粘结在第一衬底上并在该第二衬底上形成有孔；以及焊球，该焊球通过形成在第二衬底上的孔粘结在电极焊盘上。而且，第二衬底被用作焊料阻挡层。由此，因为第一衬底和第二衬底由相同的材料形成，所以可以防止烧结时BGA封装件开裂和产生不均匀。
申请人：LG电子株式会社
地址：韩国汉城市
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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