反应前驱物中n(S)：n(Cd)对CdS薄膜结构及发光特性的影响

第３２卷第８期　发　光　学　报　Ｖｏ１．３２　Ｎｏ．８　２０１１年８月　ＣＨＩＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ　Ａｕｇ．，２０１１　文章编号：１０００－７０３２（２０１　１）０８－０７９３－－０５　反应前驱物中ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）对　ＣｄＳ薄膜结构及发光特性的影响　赵湘辉，魏爱香　，招　瑜　（广东工业大学材料与能源学院，广东广州５１０００６）　摘要：采用化学水浴以ＣｄＣ１　・Ｈ　０、ＣＳ（ＮＨ　）　、ＮＨ　Ｃ１、ＮＨ　・Ｈ２０和去离子水作为反应前驱物制备ＣｄＳ纳　米晶薄膜。采用扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、透射光谱和稳态荧光光谱，研究了反应前驱物中不同　的ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）对所制备的ＣｄＳ薄膜的形貌、结构和光学性能的影响。结果表明：反应前驱物中　ｎ（Ｓ）：／Ｚ（Ｃｄ）≥３：１时均能制备出由纳米颗粒组成的、具有立方晶系结构的ＣｄＳ薄膜；ＣｄＳ薄膜均为富镉的ｎ　型半导体，薄膜中的Ｓ／Ｃｄ原子比约为０．９：１；ＣｄＳ薄膜的吸收边在４５０　ａｍ左右，在５１０～２　５００　ｉｑｍ范围内透射　率均在７０％以上，在５００　ｎｍ处有一较强的发光峰。　关键词：化学水浴法；ＣｄＳ薄膜；ｎ（ｓ）：ｎ（ｃｄ）；光致发光　中图分类号：０４８２．３１　ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｅｔ　ＰＡＣＣ：７８５５Ｅ　文献标识码：Ａ　ＤｏＩ：１０．３７８８／ｆｇｘｂ２０１１３２０８．０７９３　１　引　言　统的研究。因此，本文采用化学水浴法，以ＣｄＣ１　・　Ｈ２０，ＣＳ（ＮＨ：）　，ＮＨ　Ｃ１，ＮＨ，・Ｈ　０和去离子水　硫化镉（ＣｄＳ）是一种Ⅱ．Ⅵ族直接带隙半导　作为反应前驱物制备ＣｄＳ纳米晶薄膜，主要研究　体材料，室温下禁带宽度２．４２　ｅＶ＿１　。由于具有　反应前驱物中不同凡（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）对ＣｄＳ薄膜的结　特殊的光学和电学特性，在太阳能电池、光电探测　构、形貌和光学性质的影响。　器、传感器、非线性集成光学器件等方面具有广泛　的应用前景　４。，例如，以ＣｄＳ作为缓冲层的ＣＩＧＳ　２　实　验　薄膜太阳能电池的光电转换效率已达到２０％Ｅ５］。　２．１试剂的配制和衬底的清洗　目前，制备ＣｄＳ薄膜的方法主要有物理气相沉积　以ＣｄＣ１２・Ｈ２０、ＣＳ（ＮＨ２）２、ＮＨ４Ｃ１、ＮＨ３・Ｈ２０　法、电沉积法、化学水浴法（ＣＢＤ）等。。　，在这些　和去离子水作为反应前驱物，所用试剂均为分析　方法中，化学水浴法由于具有工艺简单、易于大面　纯。实验中首先采用去离子水分别将各种试剂配制　积生产等优点，成为制备ＣｄＳ薄膜的主要方　法　。化学水浴沉积过程是在缓冲剂作用下，溶　成一定浓度的溶液，保存在密闭玻璃瓶中备用。　液缓慢释放Ｃｄ　和Ｓ　离子，通过离子交换和结　ＣｄＣ１２・Ｈ　０的浓度为０．１　ｔｏｏｌ・Ｌ～，ＮＨ４Ｃ１的浓度　合使Ｃｄ“和ｓ卜离子沉积在衬底上生成ＣｄＳ薄　为１　ｔｏｏｌ・Ｌ～，ＣＳ（ＮＨ２）２的浓度为０．５　ｍｏｌ・Ｌ～，　膜。化学水浴法制备薄膜时，影响薄膜结构和性　ＮＨ，・Ｈ：０的质量分数为２５％。把尺寸为２．５　能的主要因素包括溶液ｐＨ值、沉积温度、沉积时　ｃｍ×１．５　ｃｍ的玻璃衬底分别在乙醇、丙酮、去离　间、反应溶液配比以及络合剂种类等。关于ｐＨ　子水中各超声清洗１０　ｍｉｎ，用Ｎ　气吹干备用。　值、温度和时问对ＣｄＳ薄膜的性能的影响已有不　２．２化学水浴法制备ＣｄＳ薄膜　少报道　Ｊ，但是关于反应前驱物中ｎ（Ｓ）：　取１００　ｍＬ的烧杯５个，在每个烧杯中都加入　ｎ（Ｃｄ）对ＣｄＳ薄膜的结构和性能的影响还没有系　０．１　ｔｏｏｌ・Ｌ～ＣｄＣ１，溶液５　ｍＬ，１　ｔｏｏｌ・Ｌ　的　收稿日期：２０１１－０２—１６；修订日期：２０１１４３４—１２　基金项目：广东省科技计划项目（２００８１７０１０８００００４）资助项目　作者简介：赵湘辉（１９８５一），男，湖南衡阳人，主要从事太阳能电池的研究。　Ｅ—ｍａｉｌ：ｚｈａｏｘｉａｎｇｈｕｉ＠ｙａｈｏｏ．ｃｎ，Ｔｅｌ：（０２０）３９３２２５７０　：通讯联系人；Ｅ－ｍａｉｌ：ｗｅｉａｘ＠ｇｄｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ，Ｔｅｌ：（０２０）３９３２２５７０　第８期　赵湘辉，等：反应前驱物中ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）对ＣｄＳ薄膜结构及发光特性的影响　７９５　公式（１）中，Ｄ是平均晶粒的粒径，Ａ＝０．１５４　０６　ｎｍ是ｘ射线的波长，　是（１１０）衍射峰的半峰全　宽（ＦＷＨＭ），０是对应的衍射角，ｋ是Ｓｃｈｅｒｒｅｒ常　数，这里取ｋ＝０．９４　由于４个样品的衍射图谱的衍射峰强度差别　不大，说明反应前驱物中ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）对ＣｄＳ薄　膜的晶格结构影响不大，只是随着反应前驱物中　２Ｏ　３Ｏ　４０　５０　６０　７０　８０　／Ｚ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）的增加，晶粒的大小略有减小。　２０／（。）　在化学水浴法制备ＣｄＳ薄膜的过程中，溶液　图２不同ｎ（ｓ）：ｎ（Ｃｄ）下制备的ＣｄＳ薄膜的ＸＲＤ图　中ｓ　和ｃｄ“有效浓度的差异会导致两种离子在　Ｆｉｇ．２　ＸＲＤ　ｐａｔｔｅｒｎｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｈｎｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅ—　衬底表面活性点上的附着优先级发生变化¨　，从　ｒｅｎｔ　ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）ｍｏｌａｒ　ｒａｔｉｏ　而会影响到ＣｄＳ薄膜的成分组成。采用ＥＤＳ测　衍射峰（ＰＤＦ＃Ｏ１－０６４７）。因此可以确定，以ＣｄＣ１　・　试了不同ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）条件下制备的ＣｄＳ薄膜中　Ｈ２Ｏ、ＣＳ（ＮＨ２）２、ＮＨ４Ｃ１、ＮＨ３・Ｈ２Ｏ和去离子水　的成分组成，表１给出了测试得到的ＣｄＳ薄膜中　作为反应前驱物，采用化学水浴法制备的ＣｄＳ纳　ｓ和ｃｄ元素的原子百分比。从表中可以看出，　米晶薄膜为立方晶系结构。另外，根据Ｓｃｈｅｒｒｅｒ　／Ｚ（Ｓ）：　（Ｃｄ）对ＣｄＳ薄膜的ｓ和Ｃｄ成分比影响　公式：　不大，不同条件下沉积得到的薄膜均为富镉型，而富　Ｄ＝ｋＡ　Ｂｃｏｓ０，　（１）　镉的ＣｄＳ为ｎ型半导体。测试得到的数据与文献　估算出了ＣｄＳ纳米的晶粒大小的粒径，见表１。在　［１３］报道的ｓ和ｃｄ原子比为０．９２：ｌ很接近。　表１不同，ｌ（Ｓ）：，ｌ（Ｃｄ）条件下制备的ＣｄＳ薄膜的晶粒大小及薄膜中的Ｓ／Ｃｄ原子比　Ｔａｂｌｅ　１　Ｔｈｅ　ｇｒａｉｎ　ｓｉｚｅ　ａｎｄ　ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）ａｔｏｍ　ｒａｔｉｏ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｈｎ　３．３　ＣｄＳ薄膜咱勺透射光谱和发光光谱　图３为不同凡（Ｓ）：　（Ｃｄ）条件下制备的ＣｄＳ　薄膜样品在紫外一可见光．近红外波段的透射光　谱。由图可知，所有ＣｄＳ薄膜样品在５１０～２　５００　ｎｍ范围内均具有很好的透过性，光透射率均在　７Ｏ％以上。ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）＝５：１时样品的光透过　率接近９０％，与其它样品相比，其吸收边更加陡　直。ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）为１：１、３：ｌ、７：１和９：１时制备　的４个样品的透射光谱非常相似，对应的吸收边　＾，ｎｌｎ　也没有明显的变化。值得注意的是，这４个样品　图３不同ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）条件下制备的ＣｄＳ薄膜的透射光谱　在波长７５０　ｎｍ附近出现一个微弱的吸收峰，产生　Ｆｉｇ．３　Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　这一现象的原因还需要进一步研究分析，有可能　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｎ（Ｓ）：／２（Ｃｄ）ｍｏｌａｒ　ｒａｔｉｏ　是缺陷态引起的吸收。根据图３的透射光谱可　ＣｄＳ薄膜的稳态荧光光谱如图４所示。一般　知，这些样品的吸收边在４５０　ｎｍ左右，所以在测　认为ＣｄＳ纳米晶薄膜的能量较高的发光带（３５０　试样品的稳态荧光光谱时，激发波长均选为４５０　ｎｍ，　５００　ｎｍ）为带间发光，能量较低的的发光带（５００～　所有样品的荧光光谱测量均在相同条件下进行。　７００　ｎｍ）为表面态、缺陷和杂质发光　。从图４　发　光　学　’报　第３２卷　中可以看到：化学水浴法制备的ＣｄＳ薄膜的发光　带均包括了带间发光和表面缺陷态发光，不同　（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）条件下制备的ＣｄＳ薄膜的发光峰位　置相同，发光强度略有不同，但ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）：５：１　时的样品其发光强度远大于其它样品的发光强　结果表明表面缺陷态的能级位于ＣｄＳ半导体的　禁带中，位于导带底之下０．７　ｅＶ处，而ＣｄＳ的禁　带宽度为２．４２　ｅＶ，因此６７５　ｒｉｍ（１．８３　ｅｖ）处的发　光峰可以认为来源于ＣｄＳ薄膜中的Ｖ　空位。这　一推测与ＥＤＳ测试得到的ＣｄＳ薄膜为富镉型结　度，同时透过率也比其它样品的高。５００　ｎｍ处的　发光峰属于ＣｄＳ纳米晶薄膜的本征发射，对应于　导带底到价带顶的电子跃迁，荧光激发后的电子　处于激发态而不稳定，会通过无辐射跃迁弛豫到　果相吻合。　４　结　论　采用化学水浴法，以ＣｄＣ１　・Ｈ２Ｏ，ＣＳ（ＮＩ－Ｉ２）　，　导带底，然后以辐射复合的形式跃迁到价带顶与　空穴复合而发射光子，同时在６７５　ｎｍ处也可发现　较弱的发光峰，它主要是由于表面缺陷态引起的　发光¨　。Ｃｈｒｙｓｏｃｈｏｏｓ等人　从理论上对ＣｄＳ薄　膜中的Ｖ　空位在能带中所处的位置进行了计算，　ＮＨ　Ｃ１，ＮＨ　・Ｈ：Ｏ和去离子水作为反应前驱物，　前驱物中ｎ（Ｓ）：ｎ（ｃｄ）等于或大于３：１时均能制　备出由纳米颗粒组成的连续且致密的ＣｄＳ薄膜，　而ｎ（Ｓ）：　（Ｃｄ）为１：１时，颗粒的尺寸很小，且颗　粒分布稀疏，不能形成致密的薄膜。ＸＲＤ分析表　明：化学水浴法制备的ＣｄＳ纳米晶薄膜具有立方　晶系结构，随着凡（ｓ）：ｎ（Ｃｄ）的增加，晶粒的大小　略有减小。ＥＤＳ结果显示：不同条件下制备的　ＣｄＳ薄膜均为富镉的ｎ型半导体，薄膜中的　凡（ｓ）：ｎ（Ｃｄ）约为０．９１：１。透射光谱和稳态荧光　光谱分析结果表明，ＣｄＳ薄膜的吸收边在４５０　ａｍ　左右，在５１０—２　５００　ｎｍ范围内透射率均在７Ｏ％　以上。在５００　１１１１１处有一较强的发光峰，６７５　ｎｍ　处有一微弱的发光峰，它们分别对应于ＣｄＳ的本　征发光和Ｖ　空位引起的发光。该研究为ＣｄＳ在　５∞５５０　６００　６５０　７００　７５０　Ｂ００　８５０　９Ｏ０　＾／ｎｍ　图４不同ｎ（ｓ）：ｎ（Ｃｄ）条件下制备的ＣｄＳ薄膜的光致发　光光谱　Ｆｉｇ．４　Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉ—　太阳能电池、光电探测器、传感器、非线性集成光　ｔｅｄ　ｗｉｔｌ１　ｄｉｆｅｒｅｎｔ　ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）ｍｏｌａｒ　ｒａｔｉｏ　学器件等方面的制作及应用提供了参考依据。　参考文献：　［１］Ｘｕ　Ｌｅｉｈｕａ，Ｑｉａｎｇ　Ｙｉｎｇｈｕａｉ，Ｊｉａｎｇ　Ｌｉ．Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｄｏｔｓ　ｄｏｐｅｄ　ｉｎ　ｓｉｌｉｃａ　ｘｅｒｏｇｅｌ［Ｊ］．　Ｃｈｉｎ．　Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２０１１，３２（３）：２２７．２３１（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［２］Ｃｈａｕｒｅ　Ｎ　Ｂ，Ｂｏｒｄａｓ　Ｓ，Ｓａｍａｎｔｉｌｌｅｋｅ　Ａ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｂａｔｈ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｃａｄｍｉｕｍ　ｓｕｌｐｈｉｄｅ　ｌａｙｅｒｓ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｉｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ，２００３，４３７（Ｉ－２）：１０－１７．　［３］Ｉｓｈｉｇｕｒｏ　Ｔ，Ｍｏｒｉｔａ　Ｓ．ＣｄＳ　ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ　ｆｏｒ　ｄｅｔｅｃｔｉｎｇ　ｈｅａｔ　ｐｕｌｓｅｓ　ｉｎ　ａ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｉｆｅｌｄ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９７４，２５（１０）：　５３３．５３４．　［４］Ｓｅｎｔｈｉｌ　Ｋ，Ｍａｎｇａｌａｒａｊ　Ｄ，Ｎａｒａｙａｎｄａｓｓ　Ｓ　Ｋ．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｌａ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｓｕ　Ｓｅｉ．，　２００１，１６９—１７０：４７６－４７９．　［５］Ｇｒｅｅｎ　Ｍ　Ａ，Ｅｍｅｒｙ　Ｋ，Ｈｉｓｈｉｋａｗａ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｓｏｌａｒ　ｃｅｌｌ　ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ　ｔａｂｌｅｓ（ｖｅｍｉｏｎ　３６）［Ｊ］．Ｐｒｏｇ．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ．Ｒｅｓ．Ａｐｐ１．，　２０１０，１８（５）：３４６—３５２．　［６］Ｂｏｉｅｒｉｕ　Ｐ，Ｓｐｏｒｋｅｎ　Ｒ，Ａｄｒｉａｅｎｓ　Ａ，ｅｔ　ａ１．ＳＩＭＳ　ａｎｄ　ＸＰＳ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＣｄＳ／ＣｄＴｅ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｅｔｕｒｅｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ＭＢＥ　［Ｊ］．Ｎｕｃ１．Ｉｎｓｔｒｕｍ．Ｍｅｔｈ．Ｐｈｙｓ．Ｒｅｓ．Ｓｅｃｔ．Ｂ，２０００，１６１．１６３：９７５－９７９．　［７］Ｎｉｓｈｉｎｏ　Ｊ，Ｃｈａｔａｎｉ　Ｓ，Ｕｏｔａｎｉ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｆｉｌｍｓ　ｆｒｏｍ　ａｑｕｅｏｕｓ　ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ［Ｊ］．　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９，４７３（１—２）：２１７—２２２．　［８］Ｌｉ　Ｗｅｎｙｉ，Ｃａｊ　Ｘｕｎ，Ｃｈｅｎ　Ｑｉｕｌｏｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｒｏｗｔｇｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒａ１．ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　第８期　赵湘辉，等：反应前驱物中ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）对ＣｄＳ薄膜结构及发光特性的影响　７９７　ＣＢＤ—ＣｄＳ　ｉｆｌｍｓ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｌｅｔｔ．，２００５，５９（１）：ｌ一５．　［９］Ｇａｏ　Ｘｉｎｈｕｉ，Ｌｉａｏ　Ｙｕａｎｂａｏ，Ｌｉｕ　Ｄｏｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｂａｔｈ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｉｆｌｍｓ　ｗｉｔｈ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｂａｎｄ　ｇａｐ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ．．，．Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００８，２９（６）：１０７６．１０８０（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［１　０］Ｚｈａｎｇ　Ｘｉａｎｆｅｎｇ，Ｚｈａｎｇ　Ｇｏｎｇ，Ｚｈｕａｎｇ　Ｄａｍｉｎｇ．Ｔｈｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｐＨ　ｖａｌｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ『Ｊ］．Ａｃｔａ　Ｅｎｅｒｇｉａｅ　Ｓｉｎｉｃａ（太阳能学报），２００９，３０（７）：８７０—８７３（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［１　１］Ｍｏｕａｌｋｉａ　Ｈ，Ｈａｒｉｅｃｈ　Ｓ，Ａｉｄａ　Ｍ　Ｓ．Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｂａｔｈ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００９，５１８（４）：１２５９—１２６２．　［１　２］Ｌｉｕ　Ｑｉ，Ｍａｏ　Ｇｕｏｂｉｎｇ，Ａｏ　Ｊｉａｎｐｉｎｇ．Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｔｉｍｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｂａｔｈ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ＣｄＳ　ｉｆｌｍｓ［Ｊ］．　Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．（功能材料），２００７，３８（６）：９６８—９７１（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　［１　３］Ｏｌａｄｅｊｉ　Ｉ　Ｏ，Ｃｈｏｗ　Ｌ，Ｌｉｕ　Ｒ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｐｐａｒａｔｉｖｅ　ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｓｉｎｇｌｅ，ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ．ａｎｄ　ｍｕｈｉｐｌｅ　ｄｉｐ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｓ，２０００，３５９（２）：ｍ１５４—１５９．　［１　４］Ａｇａｔａ　Ｍ，Ｋｕｒａｓｅ　Ｈ，Ｈａｙａｓｈｉ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｐｈｏｔｏｌｕｒｎｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｇａｓ—ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ＣｄＳ　ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｓ［Ｊ］．Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９０，７６（８）：１０６１—１０６５．　［１　５］Ｊｉａｎｇ　Ｄｅｓｈｅｎｇ，Ｌｉ　Ｈｏｎｇｈｕｉ，Ｙｕ　Ｈａｉｈｕ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｓｐｅｃｔｒａｌ　ｒｅｓｅａｒｃｈｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｓ［Ｊ］．　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００５，２７（１）：７－９（ｉｎ　Ｃｈｉｎｅｓｅ）．　Ｗｕｈａｎ　［１６］Ｌｉｕ　Ｗｅｉｆｅｎｇ，Ｊｉｎ　Ｃｈｕａｎｇｕｉ，Ｊｉａ　Ｃｈｏｎｇ，ｅｔ　ａ１．ＣｄＳ　ｎａｎｏｂｅｈｓ　ｏｎ　Ｓｉ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２００４，３３（３）：２２８—２２９．　Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）ｉｎ　Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ　ｏｎ　Ｔｈｅ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ａｎｄ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　Ｆｉｌｍｓ　ＺＨＡＯ　Ｘｉａｎｇ—ｈｕｉ，ＷＥＩ　Ａｉ—ｘｉａｎｇ，ＺＨＡＯ　Ｙｕ　（Ｆａｃｕｌｔｙ　ｏｆＭａｔｅｒｉａｌ　ａｎｄ　Ｅｎｅｒｇｙ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ　５１０００６，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｗａｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｂａｔｈ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ／－ｔ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）ｕｓｉｎｇ　ｔｈｅ　ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ　ｏｆ　ＣｄＣ１２　Ｈ２Ｏ，ＣＳ（ＮＨ２）２，ＮＨ４Ｃ１，ＮＨ３・Ｈ２Ｏ　ａｎｄ　ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　ｗａｔｅｒ．Ｔｈｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ，　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ、ｏｆ　ａｌｌ　ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ａｎａｌｙｚｅｄ　ｂｙ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，Ｘ．ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｓｐｅｃｔｒａ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｉｎｄｉｃａｔｅｄ　ｔｈａｔ　ｓｐｈｅｒｉｃａｌ　ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｌｉｋｅ　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　ｃｕｂｉｃ　ｓｔｕｃｔｒｕｒｅ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ａｔ　ｎ（Ｓ）：凡（Ｃｄ）ｇｒｅａｔｅｒ　ｔｈａｎ　ｏｒ　ｅｑｕａｌ　３：１．Ａｌｌ　ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｃｌｏｓｅ　ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｒｔｙ　Ｓ／Ｃｄ：０．９　１　ｗｅｒｅ　Ｃｄ．ｒｉｃｈ　ｂｅｌｏｎｇ　ｔｏ　ｎ．ｔｙｐｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ０ｒ．Ｔｈｅ　ａｂ．　ｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｅｄｇｅ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｆｉｌｍｓ　ｗａｓ　ａｂｏｕｔ　４５０　ｎｍ，ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ　ｗａｓ　ｍｏｒｅ　ｔｈａｎ　７０％ｉｎ　ｔｈｅ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　ｒａｎｇｅ　ｆｒｏｍ　５　１　０　ｔｏ　２　５００　ｎｍ．Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｐｅａｋ　ａｔ　５００　ｎｍ　ｉｓ　ｓｔｒｏｎｇｅｒ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｂａｔｈ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣｄＳ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ；　ｎ（Ｓ）：ｎ（Ｃｄ）；ｐｈｏｔ０ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ＣＬＣ　ｎｕｍｂｅｒ：０４８２．３１　ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｅｔ　ＰＡＣＣ：７８５５Ｅ　Ｄｏｃｕｍｅｎｔ　ｃｏｄｅ：Ａ　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘｂ２０１　１３２０８．０７９３　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　ｄａｔｅ：２０１　１－０２—１６