专利名称：一种半导体晶体生长装置专利类型：发明专利
发明人：沈伟民,王刚,邓先亮,黄瀚艺,陈伟德申请号：CN201910527014.1申请日：20190618公开号：CN112095153A公开日：20201218
摘要：本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方；其中，所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司
地址：201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
代理人：高伟
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