（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201810167284.1 （22）申请日 2018.02.28 （71）申请人 清华大学
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
（10）申请公布号 CN108364867B
（43）申请公布日 2019.04.30
书
（72）发明人 阮勇;尤政;崔志超
（74）专利代理机构 北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 王赛
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
深硅刻蚀方法
（57）摘要
本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：
提供覆盖有图形化的掩膜层的硅片，首先刻蚀未被所述掩膜层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，还包括循环重复的钝化步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，直至达到预定的刻蚀深度。其中，随着循环周期次数的增加，至少满足条件(1)至(3)中的至少一个：(1)所述钝化步骤的沉积时间随着所述循环周期次数的增加而增加；(2)所述第二刻蚀步骤的平
板电极功率随着所述循环周期次数的增加而增大；(3)所述第二刻蚀步骤的气压随着所述循环周期次数的增加而减小。
法律状态
法律状态公告日
2018-08-03 2018-08-03 2018-08-03 2018-08-28 2018-08-28 2019-04-30
法律状态信息
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
深硅刻蚀方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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