（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010482344.6 （22）申请日 2020.05.29
（71）申请人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
（10）申请公布号 CN111579147A
（43）申请公布日 2020.08.25
（72）发明人 张明亮;王晓东;杨富华
（74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 孙蕾
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法
（57）摘要
一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制
备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合
组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合；双面淀积金属。该制备方法与CMOS工艺兼容，可以大批量制造，在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
法律状态
法律状态公告日2020-08-25
法律状态信息
公开
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权利要求说明书
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说明书
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