专利名称：缺陷分析法专利类型：发明专利
发明人：王通,杨健,朱瑜杰,陈思安申请号：CN201310444792.7申请日：20130923公开号：CN104465434A公开日：20150325
摘要：本发明提出了一种缺陷分析方法，使用缺陷分析系统对缺陷进行分析，得出能够杀伤待测晶圆良率的数量，同时，将当前层薄膜的缺陷与前一层薄膜的缺陷进行坐标叠加，能够更加精确的得出杀伤待测晶圆良率的缺陷的数量，以此计算出的良率杀伤率更加准确，能够增加对缺陷监控的敏感性，便于更加准确的判断晶圆是否报废。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容