BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 333
BGA球栅阵列封装
随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片与芯片组等）皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。
BGA封装技术又可详分为五大类：
1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中，Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。
2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。Intel系列CPU中，Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。
3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。
4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。
5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。
BGA封装具有以下特点：
1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。 2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。
3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。 4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。 本贴来自中关村在线产品论坛： FBGA封装 FBGA封装 Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列。 FBGA（通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构, 使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写, 即球栅阵列封装。 采用BGA技术封装的内存, 可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍, BGA与TSOP相比, 具有更小的体积, 更好 的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升, 采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下, 体积只 有TSOP封装的三分之一；另外, 与传统TSOP封装方式相比, BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色, 金士顿、勤茂科技等领先内存制造商已经推出了采用CSP封装技术的 内存产品。CSP, 全称为Chip Scale Package, 即芯片尺寸封装的意思。作为新一代的芯片封装技术, 在BGA、TSOP的基础上 , CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况, 绝对 尺寸也仅有32平方毫米, 约为普通的BGA的1/3, 仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下, 内存条可以装入更多 的芯片, 从而增大单条容量。也就是说, 与BGA封装相比, 同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍, 图4展示了三种封装技 术内存芯片的比较, 从中我们可以清楚的看到内存芯片封装技术正向着更小的体积方向发展。CSP封装内存不但体积小, 同时也 更薄, 其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm, 大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性, 线路阻抗显著减小, 芯片速度也随之得到大幅度的提高。CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同的芯片面积下 CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上可以制造 1000根）, 这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外, CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离, 其衰减随之减少, 芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升, 这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装 方式中, 内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上, 由于焊点和PCB板的接触面积较大, 所以内存芯片在运行中所产生的热量 可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式, 内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的, 焊点和PCB板 的接触面积较小, 使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP封装可以从背面散热, 且热效率良好, CSP的热阻为35℃/W, 而 TSOP热阻40℃/W。测试结果显示, 运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%, 而TSOP内存中传导到PCB板上 的热量能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑, 电路冗余度低, 因此它也省去了很多不必要的电功率消耗, 致使芯片耗电量和 工作温度相对降低。目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺, 良品率比较低。而如果将 制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话, 良品率将大大提高。而要达到这种工艺水平, 采用CSP封装方式则是不可避免的。因此 CSP封装的高性能内存是大势所趋 这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置, 如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机 因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容