专利名称：一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法专利类型：发明专利发明人：赵科湘
申请号：CN201410478356.6申请日：20140918公开号：CN104263957A公开日：20150107
摘要：本发明公开了一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法，该方法是在真空条件下，对粗铟依次在540～560℃，690～710℃，740～760℃，990～1010℃，进行4个温度区段的蒸馏：得到6N高纯铟；该制备方法操作简单、流程短，低成本，以粗铟为原料高效提纯出6N金属铟。
申请人：株洲科能新材料有限责任公司
地址：412000 湖南省株洲市荷塘区金山民营科技园内
国籍：CN
代理机构：长沙市融智专利事务所
代理人：魏娟
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