专利名称：离子注入方法及离子注入装置专利类型：发明专利
发明人：川崎洋司,佐野信,塚原一孝申请号：CN201610898648.4申请日：20161014公开号：CN106920741A公开日：20170704
摘要：本发明提供一种用于提高离子注入处理的注入精度的技术。还提供一种使离子束沿x方向往复扫描，并使晶片沿y方向往复运动而对晶片进行离子注入的离子注入方法。该方法具备如下步骤：对以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的第1晶片照射离子束，并测量射束照射后的第1晶片的电阻；对以满足规定的轴沟道效应条件的方式配置的第2晶片照射离子束，并测量射束照射后的第2晶片的电阻；及使用第1晶片及第2晶片的电阻测量结果，调整离子束的x方向及y方向的注入角度分布。
申请人：住友重机械离子技术有限公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：徐殿军
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