专利名称：堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：殷华湘,张青竹,张兆浩,姚佳欣申请号：CN201910351601.X申请日：20190428公开号：CN110189997A公开日：20190830
摘要：本发明提供了一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底的一侧具有支撑部，沿支撑部的延伸方向在支撑部上交替层叠设置有牺牲层与沟道层，支撑部、牺牲层与沟道层构成鳍结构；对支撑部的两侧表面进行掺杂形成第一掺杂区；形成跨鳍结构的假栅，在位于假栅两侧的鳍结构中形成源/漏区，源/漏区与第一掺杂区的掺杂类型相反；依次去除假栅以及位于源/漏区之间的牺牲层，以使沟道层中位于源/漏区之间的部分表面裸露，具有裸露表面的沟道层构成纳米片阵列，绕纳米片阵列中各纳米片的外周形成栅堆叠结构。上述制备得到的器件中栅堆叠结构不会受到栅堆叠结构的控制，有效避免了对器件开关特性的影响。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：韩建伟
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