专利名称：带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：刘艳,韩根全,赵斌,张庆芳申请号：CN201410244666.1申请日：20140604公开号：CN104022153A公开日：20140903
摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，源区电极和漏区电极。本发明在器件表面覆盖一层张应变薄膜应变层，在制备过程中张应变薄膜膨胀在沟道区域引入沿沟道方向上较大的张应变，从而在源沟道界面及附近区域引入双轴张应变，该应变有利于沟道的GeSn导带Γ点下降，由间接带隙转变为直接带隙，增大电流，提高器件工作电流，导通电阻降低。
申请人：重庆大学
地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
国籍：CN
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙)
代理人：郭云
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