专利名称：一种新型压电式压力传感器及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：桑元华,王孚雷,姜建峰,刘齐鲁,王书华,王建军,韩琳,
刘宏
申请号：CN201910396732.X申请日：20190514公开号：CN110116982A公开日：20190813
摘要：本发明涉及一种新型压电式压力传感器及其制备方法，首先通过水热法在柔性ITO导电基底上生长垂直排列的一维ZnO纳米棒，得到压电式压力传感器，然后将传感器两极分别连接至选用二维材料InSe的FET器件的源极和栅极上，形成复合器件，得到所述的新型压电式压力传感器。ZnO形貌为一维纳米棒阵列，纳米棒直径大小约为100nm，长度约为3μm，二维InSe材料的厚度约为35nm。利用ZnO优良的压电性能，将机械能转换成电势信号，然后通过InSe‑FET将电势信号放大，得以精确检测。两者的协同作用，有效地提高的传感的灵敏度，该制备过程生产周期短，重复性好，原料丰富，成本低廉，应用前景广阔。
申请人：山东大学
地址：250199 山东省济南市历城区山大南路27号
国籍：CN
代理机构：济南金迪知识产权代理有限公司
代理人：杨磊
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