专利名称：超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统专利类型：实用新型专利发明人：王文杰
申请号：CN201921484951.5申请日：20190906公开号：CN210953570U公开日：20200707
摘要：本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
申请人：仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司
地址：314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号(中科院三期)17号楼2楼203室
国籍：CN
代理机构：嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人：张抗震
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