专利名称：封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法专利类型：发明专利
发明人：小清水秀辉,陆昕,荒谷侑里香申请号：CN201710217141.2申请日：20170405公开号：CN107275234A公开日：20171020
摘要：提供封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法，利用模制树脂将晶片的正面覆盖并且将模制树脂合适地填充在槽内。封装晶片的制造方法构成为通过如下的步骤制造出利用模制树脂将晶片的器件区域(A1)包覆并利用模制树脂埋设了沿着分割预定线而形成的槽的封装晶片：从晶片(W)的正面侧沿着分割预定线形成深度为完工厚度以上的槽(12)的步骤；将晶片的外周的倒角部去除而形成槽以上的深度的阶部(13)的步骤；以及将成型装置的凹状的模具(36)载置在阶部底面(14)上而对由模具和晶片围成的空间填充模制树脂(M)的步骤。
申请人：株式会社迪思科
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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