专利名称：一种高压快恢复二极管芯片专利类型：实用新型专利发明人：何豆豆
申请号：CN202020640850.9申请日：20200425公开号：CN212010985U公开日：20201124
摘要：本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体，所述二极管芯片本体内壁的底部设置有P型层，所述P型层的顶部设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶部设置有透明导电层，所述透明导电层的顶部设置有P型电极，所述P型电极的顶端固定连接有N型层，所述N型层的顶部固定连接N型电极，所述二极管芯片本体一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚。该高压快恢复二极管芯片，通过采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流，本实用新型具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。
申请人：惠安中正网络科技有限公司
地址：362100 福建省泉州市惠安县螺城镇惠泉北路135号广电局住宅区3栋1梯201
国籍：CN
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