专利名称：提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方
法
专利类型：发明专利发明人：闫发旺,宋雪云申请号：CN201010216451.0申请日：20100705公开号：CN101937954A公开日：20110105
摘要：提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法，属于半导体技术领域，在生长氮化镓基蓝光/绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层期间，使氨气和Ⅲ族金属有机源材料镓和铟交替脉冲地输入生长反应室。在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该调制生长过程会形成高发光效率的铟镓氮量子阱发光层。该方法可减弱铟镓氮/氮化镓量子阱的内建电场，提高量子局域化效应，增强辐射复合几率，增加发光的内量子效率，从而提高发光二极管的发光效率和亮度。该方法适用于高亮度、高发光效率的氮化基蓝光/绿光发光二极管外延材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长。
申请人：扬州中科半导体照明有限公司
地址：225009 江苏省扬州市邗江中路119号
国籍：CN
代理机构：扬州市锦江专利事务所
代理人：江平
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