专利名称：一次性可编程存储器单元及其制造方法专利类型：发明专利发明人：全成都
申请号：CN201210594465.5申请日：20121231公开号：CN103579246A公开日：20140212
摘要：提供了一种一次性可编程（OTP）存储器单元，其包括：具有第一导电类型的阱；在阱上形成的并且包括第一和第二熔丝区域的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的具有第二导电类型的栅电极，该第二导电类型与第一导电类型电荷相反；在阱中形成的并且被布置为包围第一和第二熔丝区域的第二导电类型的结区域；以及在第一熔丝区域与第二熔丝区域之间的阱中形成的隔离层。
申请人：美格纳半导体有限公司
地址：韩国忠清北道
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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