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用于深紫外光的光刻胶组合物以及制造半导体器件的方法

2023-07-05 来源:意榕旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201811093301.8 (22)申请日 2018.09.19 (71)申请人 三星电子株式会社

地址 韩国京畿道

(10)申请公布号 CN109581810A

(43)申请公布日 2019.04.05

(72)发明人 文桢皓;洪锡九;金珍珠;全今慧 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 贺卫国

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

用于深紫外光的光刻胶组合物以及制造半导体器件的方法

(57)摘要

提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组

合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性,所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化,并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时,图案化的光

刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。

法律状态

法律状态公告日

2019-04-05

公开

法律状态信息

公开

法律状态

权利要求说明书

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说明书

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