专利名称：光电变换装置的制造方法专利类型：发明专利
发明人：木下仁志,杉山浩之,久嶋浩之,下井英树,井上圭祐申请号：CN200780009546.1申请日：20070228公开号：CN101405826A公开日：20090408
摘要：本发明涉及一种光电变换装置的制造方法，该方法在不会使光电面的特性劣化的情况下，气密性地接合形成容纳上述光电面的外围器的两个部材。在具有光电面(7)的上侧框架(2)的接合部上，依次层叠铬金属膜(11a)和镍金属膜(12b)。下侧框架(5)由具备电子倍增管(8)和阳极(9)的平板状部材(4)以及硅制框部材(3)构成。在上述框部材的接合部上，依次层叠铬金属膜(10a)和镍金属膜(10b)。上述上侧框架和上述下侧框架夹持着含铟的接合材料(12)而重合。在减压至规定的真空度并被保持在铟的熔点以下的温度的真空空间内，在规定的压力下互相押接上述上侧框架和上述下侧框架，形成具有维持充分的气密性的容纳空间的外围器。
申请人：浜松光子学株式会社
地址：日本静冈县
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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